是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.9 |
其他特性: | RADIATION HARDENED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A |
最大漏极电流 (ID): | 6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.55 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 75 W |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FRM9130D3 | RENESAS | 6A, 100V, 0.55ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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FRM9130D4 | RENESAS | 6A, 100V, 0.55ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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FRM9130H | INTERSIL | 6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
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FRM9130H1 | RENESAS | 暂无描述 |
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FRM9130H3 | RENESAS | 6A, 100V, 0.55ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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FRM9130H4 | RENESAS | 6A, 100V, 0.55ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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