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FN4A4L-AT

更新时间： 2023-01-03 00:17:05

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体管
页数	文件大小	规格书
22页	420K
描述
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59

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FN4A4L-AT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	20
元件数量：	1	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FN4A4L-AT 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

FN4xxx

RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR

FEATURES

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

• Compact package

• Resistors built-in type

• Complementary to FA4xxx

+ꢀ.1

ꢀ.4

–ꢀ.ꢀ5

+ꢀ.1

ꢀ.16

–ꢀ.ꢀ6

Marking

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

ꢀ to ꢀ.1

PACKAGE

SC-59

FN4xxx

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

+ꢀ.1

ꢀ.3

ꢀ.4

–ꢀ.ꢀ5

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

−60

−50

1.1 to 1.4

ꢀ.95

2.9 ꢀ.2

ꢀ.95

Note1

<R>

EQUIVALENT CIRCUIT

PIN CONNECTION

−0.1

Collector Current (pulse) ^Note2IC(pulse)

−0.2

1: Emitter

2: Base

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

T^j

0.2

°C

150

3: Collector

T^stg

−55 to +150

Note 1.

<R>

PART NUMBER

VEBO

(V)

MARK

R¹

R²

PART NUMBER

VEBO

(V)

MARK

R¹

R²

(kΩ)

10.0

22.0

47.0

4.7

(kΩ)

FN4A4M

FN4F4M

FN4L4M

FN4L3M

FN4L3N

FN4L3Z

FN4A3Q

FN4A4P

FN4F4N

−10

−5

NA1

NB1

NC1

ND1

NE1

NF1

NG1

NH1

NJ1

10.0

22.0

47.0

4.7

FN4L4L

FN4A4Z

FN4F4Z

FN4L4Z

FN4F3M

FN4F3P

FN4F3R

FN4A4L

FN4L4K

−15

−5

NK1

NL1

NM1

NN1

NP1

NQ1

NR1

NS1

NT1

47.0

10.0

22.0

47.0

2.2

22.0

−5

4.7

10.0

−10

−5

2.2

10.0

47.0

4.7

−5

4.7

2.2

−5

1.0

10.0

47.0

−5

2.2

−5

10.0

22.0

−15

−25

10.0

47.0

−5

10.0

Note 2. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16491EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published December 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FN4A4M	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
FN4A4M-A	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59,
FN4A4M-L	RENESAS	获取价格	FN4A4M-L
FN4A4M-T1B	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
FN4A4M-T1B-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
FN4A4M-T2B-A	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
FN4A4P	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
FN4A4P-A	NEC	获取价格	暂无描述
FN4A4P-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
FN4A4P-L	RENESAS	获取价格	FN4A4P-L

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