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FMP18N05

更新时间: 2024-01-23 12:55:00
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
POWER, FET

FMP18N05 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):13 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):75 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

FMP18N05 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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