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FMP07N60S1

更新时间： 2024-03-03 10:09:27

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富士电机 - FUJI		/
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FMP07N60S1 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FMP07N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Allowable Power Dissipation

P^D= f(TC)

Safe Operating Area

ID=f(VDS): Duty=0(Single pulse), TC=25°C

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

1µs

10µs

100µs

Power loss waveform :

Square waveform

1ms

10³

P_D

10^-1

10⁰

10¹

DS [V]

10²

[°C]

100

125

150

Typical Output Characteristics

I^D=f(VDS): 80µs pulse test, Tch=25°C

Typical Output Characteristics

I^D=f(VDS): 80µs pulse test, Tch=150°C

20V

10V

20V

10V

6.5V

5.5V

VGS=4.5V

DS [V]

VDS [V]

Typical Drain-Source on-state Resistance

RDS(on)= f(ID): 80µs pulse test, Tch=25°C

Typical Drain-Source on-state Resistance

RDS(on)= f(ID): 80µs pulse test, Tch=150°C

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

6.5V

5.5V

4.5V

5.5V

10V

VGS=20V

10V

VGS=20V

[A]

ID [A]

1 234 5 6 7 8

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