FMM110-015X2F

更新时间： 2024-01-05 08:48:06

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	175K
描述
TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

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FMM110-015X2F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	53 A
最大漏极电流 (ID)：	53 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
JESD-609代码：	e1	元件数量：	2
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FMM110-015X2F

Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance

1.00

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves The Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: F_110N15T2(61)4-23-09-A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FMM1103VJ	ETC	The FMM1103VJ is a GaAs Microwave Static Frequency Divider designed for dividing an input	获取价格
FMM110VJ	ETC	Prescaler/Frequency Divider	获取价格
FMM11DREF	ETC	CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156	获取价格
FMM11DREI	ETC	CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156	获取价格
FMM11DREN	ETC	CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156	获取价格
FMM11DRES	ETC	CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156	获取价格