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FM34W02LMT8

更新时间： 2024-01-26 23:48:34
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 92K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8

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FM34W02LMT8 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
其他特性：40 YEAR DATA RETENTION最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDDRJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.4 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.00001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.001 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：15 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

FM34W02LMT8 数据手册

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PRELIMINARY INFORMATION  
June 2000  
FM34W02  
2K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface Serial EEPROM  
with Full Array Write Protect  
Designed with Permanent Write-Protection for First 128 Bytes for Serial Presence  
Detect Application on Memory Modules (PC100/PC133 Compliant)  
General Description  
Features  
The FM34W02 is 2048 bits of CMOS non-volatile electrically  
erasable memory. This device is specifically designed to support  
Serial Presence Detect circuitry in memory modules. This com-  
munications protocol uses CLOCK (SCL) and DATA I/O (SDA)  
lines to synchronously clock data between the master (for ex-  
ample a microprocessor) and the slave EEPROM device(s).  
I PC100/PC133 Compliant  
I Extended Operating Voltage: 2.7V-5.5V  
I Software Write-Protection for first 128 bytes  
I Hardware Write-Protection for entire memory array  
I 200 µA active current typical  
The contents of the non-volatile memory allows the CPU to  
determine the capacity of the module and the electrical character-  
istics of the memory devices it contains. This will enable "plug and  
play" capability as the module is read and PC main memory  
resources utilized through the memory controller.  
– 1.0 µA standby current typical (L)  
– 0.1 µA standby current typical (LZ)  
I IIC compatible interface  
– Provides bidirectional data transfer protocol  
I Sixteen byte page write mode  
– Minimizes total write time per byte  
The first 128 bytes of the memory of the FM34W02 can be  
permanentlyWriteProtectedbywritingtothe"WRITEPROTECT"  
Register. Write Protect implementation details are described  
underthesectiontitledAddressingtheWPRegister. Inaddition,  
like the NM24Wxx product family, the entire memory array can be  
write-protected through "WP" pin.  
I Self timed write cycle  
- Typical write cycle time of 6ms  
I Endurance: 1,000,000 data changes  
I Data retention greater than 40 years  
TheFM34W02isavailableinaJEDECstandardTSSOPpackage  
for low profile memory modules for systems requiring efficient  
spaceutilizationsuchasinanotebookcomputer. Twooptionsare  
available: L - Low Voltage and LZ - Low Power, allowing the part  
to be used in systems where battery life is of primary importance.  
I Packages available: 8-pin TSSOP and 8-pin SO  
I Temperature Ranges: Commercial and Extended  
Block Diagram  
V
CC  
V
SS  
WP  
H.V. GENERATION  
TIMING &CONTROL  
START CYCLE  
START  
STOP  
SDA  
LOGIC  
CONTROL  
LOGIC  
SLAVE ADDRESS  
REGISTER &  
COMPARATOR  
2
E
PROM  
16  
ARRAY  
16 x 16 x 8  
XDEC  
SCL  
LOAD  
INC  
A2  
A1  
A0  
WORD  
ADDRESS  
COUNTER  
0/1/2/3  
4
16  
4
R/W  
YDEC  
Device Address Bits  
8
Write Protect  
Register  
CK  
D
OUT  
DATA REGISTER  
D
IN  
DS800041-1  
1
© 2000 Fairchild Semiconductor International  
FM34W02 Rev. A  
www.fairchildsemi.com  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM34W02LZEM8 FAIRCHILD

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