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FM25C160-S PDF预览

FM25C160-S

更新时间： 2024-02-17 14:14:39
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14页 103K
描述
IC-SM-16K SERIAL FRAM

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FM25C160-S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.8
最大时钟频率 (fCLK)：2.1 MHzJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e0长度：9.817 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

FM25C160-S 数据手册

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FM25C160  
16Kb FRAM Serial Memory  
Features  
Sophisticated Write Protection Scheme  
16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
·
·
Hardware protection  
Software protection  
·
·
·
·
·
Organized as 2,048 x 8 bits  
High endurance 10 Billion (1010) read/writes  
10 year data retention at 85° C  
NoDelay™ Writes  
Low Power Consumption  
10 mA standby current  
·
Advanced high-reliability ferroelectric process  
Industry Standard Configuration  
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
·
·
Industrial temperature -40° C to +85° C  
8-pin SOP or DIP  
·
·
·
Up to 5 MHz maximum bus frequency  
Direct hardware replacement for EEPROM  
SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)  
Description  
Pin Configuration  
The FM25C160 is a 16-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or FRAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides reliable data retention for 10 years while  
eliminating the complexities, overhead, and system  
level reliability problems caused by EEPROM and  
other nonvolatile memories.  
VDD  
HOLD  
SCK  
SI  
CS  
SO  
WP  
Unlike serial EEPROMs, the FM25C160 performs  
write operations at bus speed. No write delays are  
incurred. Data is written to the memory array mere  
hundreds of nanoseconds after it has been  
successfully transferred to the device. The next bus  
cycle may commence immediately. In addition, the  
product offers substantial write endurance compared  
with other nonvolatile memories. The FM25C160 is  
capable of supporting up to 1E10-read/write cycles --  
far more than most systems will require from a serial  
memory.  
VSS  
Pin Names  
/CS  
Function  
Chip Select  
Serial Data Output  
Write Protect  
Ground  
Serial Data Input  
Serial Clock  
Hold  
SO  
/WP  
VSS  
SI  
SCK  
/HOLD  
VDD  
These capabilities make the FM25C160 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection,  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss.  
5V  
Ordering Information  
FM25C160-P  
FM25C160-S  
8-pin plastic DIP  
8-pin SOP  
The FM25C160 provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM, in  
a
hardware drop-in  
replacement. The FM25C160 uses the high-speed SPI  
bus, which enhances the high-speed write capability  
of FRAM technology. It is guaranteed over an  
industrial temperature range of -40°C to +85°C.  
This data sheet contains design specifications for product development.  
These specifications may change in any manner without notice  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000, Fax (719) 481-7058  
www.ramtron.com  
23 October 2000  
1/14  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FM25C160-STR RAMTRON Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

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