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FLM1213-8F

更新时间: 2024-02-20 14:09:13
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页数 文件大小 规格书
4页 298K
描述
X, Ku-Band Internally Matched FET

FLM1213-8F 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.16
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (ID):2.6 A
FET 技术:JUNCTION最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

FLM1213-8F 数据手册

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FLM1213-8F  
X, Ku-Band Internally Matched FET  
OUTPUT POWER & IM vs. INPUT POWER  
POWER DERATING CURVE  
3
50  
V
=10V  
DS  
f1 = 13.2 GHz  
35  
33  
f2 = 13.21 GHz  
2-tone test  
40  
P
out  
30  
20  
10  
-20  
-30  
-40  
-50  
31  
29  
27  
25  
IM  
3
23  
25  
27  
19  
21  
0
50  
100  
150  
200  
Input Power (S.C.L.) (dBm)  
S.C.L.: Single Carrier Level  
Case Temperature (°C)  
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY  
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER  
V
= 10V  
DS  
V
= 10V  
DS  
f = 12.95 GHz  
P
1dB  
40  
39  
38  
37  
36  
40  
Pin = 34.5dBm  
32.5dBm  
Pout  
38  
36  
34  
30.5dBm  
28.5dBm  
45  
30  
15  
32  
30  
η
add  
35  
12.7 12.8 12.9 13.0 13.1 13.2  
23  
25  
27  
29  
31  
33  
35  
Frequency (GHz)  
Input Power (dBm)  
2

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