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FLLD261

更新时间: 2024-02-10 04:32:31
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2页 113K
描述
SILICON PLANAR LOW LEAKAGE SERIES DIODE PAIR

FLLD261 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.39
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.33 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.4 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

FLLD261 数据手册

 浏览型号FLLD261的Datasheet PDF文件第1页 
FLLD258  
FLLD261  
FLLD263  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
25  
20  
15  
10  
5
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
VF - Forward Voltage (V)  
IR v VF  
3 - 99  

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