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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2007-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK2007 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK2508 | TOSHIBA |
功能相似 |
HIGH SPEED HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS SWITCHING REGULATOR AND DC-DC CONVERTER AND |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FK20SM6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
|
| FK20SM-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK20SM-6 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK20SM9 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
|
| FK20SM-9 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK20SM-9 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK20UM5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| FK20UM-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK20UM-5 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK20UM-5 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
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