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FIO50-12BD

更新时间： 2024-01-23 20:03:45
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 76K
描述
Bidirectional Switch with NPT3 IGBT and fast Diode Bridge

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FIO50-12BD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOPLUS包装说明：ISOPLUS I4-PAC, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-PSIP-T5JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：490 ns
标称接通时间 (ton)：135 nsBase Number Matches：1

FIO50-12BD 数据手册

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FIO 50-12BD  
IC25  
VCES  
VCE(sat)typ. = 2.0 V  
= 50 A  
= 1200 V  
Bidirectional Switch  
with NPT3 IGBT  
and fast Diode Bridge  
in ISOPLUS i4-PACTM  
3
1
2
1
4
5
5
Features  
IGBT  
• NPT3 IGBT  
- low saturation voltage  
- positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
20  
V
VGES  
V
- fast switching  
- short tail current for optimized  
performance in resonant circuits  
• HiPerFREDTM diodes  
IC25  
IC90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
50  
32  
A
A
- fast reverse recovery  
ICM  
VCEK  
VGE = 15 V; RG = 39 Ω; TVJ = 125°C  
50  
VCES  
A
µs  
W
- low operating forward voltage  
- low leakage current  
RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH  
• ISOPLUS i4-PACTM package  
- isolated back surface  
tSC  
(SCSOA)  
VCE = 900V; VGE = 15 V; RG = 39 Ω; TVJ = 125°C  
non-repetitive  
10  
- low coupling capacity between pins  
and heatsink  
Ptot  
TC = 25°C  
200  
- enlarged creepage towards heatsink  
- application friendly pinout  
- low inductive current path  
- high reliability  
- industry standard outline  
- UL registered, E 72873  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
VCE(sat)  
IC = 30 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.0  
2.3  
2.6  
V
V
Applications  
VGE(th)  
ICES  
IC = 1 mA; VGE = VCE  
4.5  
6.5  
V
switches to control bidirectional current  
flow by a single control signal:  
• matrix converters  
VCE = VCES;VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
0.4 mA  
mA  
0.4  
• spare matrix converters  
• AC controllers  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
200 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
85  
50  
440  
50  
4.6  
2.2  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 30 A  
VGE = 15 V; RG = 39 Ω  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 35 A  
2
150  
nF  
nC  
RthJC  
RthJS  
0.6 K/W  
K/W  
1.2  
© 2003 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
IXYS Semiconductor GmbH  
IXYS Corporation  
Edisonstr. 15,  
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627  
D-68623 Lampertheim  
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054  
Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670  
1234

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