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FFSP3065A

更新时间： 2023-09-03 20:32:43

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安森美 - ONSEMI		局域网 PC 功效光电二极管肖特基二极管
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碳化硅肖特基二极管

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FFSP3065A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.52	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	1049580
Samacsys Pin Count：	2	Samacsys Part Category：	Diode
Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical	Samacsys Footprint Name：	FFSP3065A-1
Samacsys Released Date：	2018-01-24 13:36:15	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, PD-CASE	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.75 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大功率耗散：	240 W
最大重复峰值反向电压：	650 V	最大反向电流：	200 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

FFSP3065A 数据手册

FFSP3065A

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

(T = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

100 200 300 400 500 600 650

V , Reverse Voltage (V)

Figure 7. Capacitance Stored Energy

D=0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

SINGLE PULSE

NOTES:

(t) = r(t) × R

= 0.62°C/W

Peak T = P

0.1

× Z (t) + T

JC C

Duty Cycle, D = t / t

0.05

−4

−3

−2

−1

t, Rectangular Pulse Duration (s)

Figure 8. Junction−to−Case Transient Thermal Response Curve

TEST CIRCUIT AND WAVEFORMS

L = 0.5 mH

R < 0.1 W

= 50 V

EAVL = 1/2LI2 [V

/ (V − V )]

R(AVL) DD

R(AVL)

Q1 = IGBT (BV

> DUT V

)

CES

R(AVL)

AVL

CURRENT

SENSE

I V

DUT

−

Figure 9. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform

www.onsemi.com

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