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FD300R12KE3

更新时间： 2024-02-24 22:57:16
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EUPEC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 172K
描述
Technische Information / technical information

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FD300R12KE3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MODULE-5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.58
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：480 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X5元件数量：1
端子数量：5封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：830 ns标称接通时间 (ton)：400 ns
Base Number Matches：1

FD300R12KE3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FD300R12KE3  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / electrical properties  
Kollektor Emitter Sperrspannung  
collector emitter voltage  
Tvj= 25°C  
VCES  
1200  
V
300  
480  
A
A
Kollektor Dauergleichstrom  
DC collector current  
Tc= 80°C  
Tc= 25°C  
IC, nom  
IC  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tp= 1ms, Tc= 80°C  
ICRM  
600  
1470  
+/- 20  
300  
600  
19  
A
W
Gesamt Verlustleistung  
total power dissipation  
Tc= 25°C, Transistor  
Ptot  
Gate Emitter Spitzenspannung  
gate emitter peak voltage  
VGES  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
tp= 1ms  
IFRM  
A
Grenzlastintegral  
I²t value  
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C  
RMS, f= 50Hz, t= 1min.  
I²t  
k A²s  
kV  
Isolations Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
2,5  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
-
typ.  
1,7  
2,0  
max.  
2,15  
-
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C  
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung  
VCEsat  
VGE(th)  
QG  
collector emitter saturation voltage  
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C  
-
Gate Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC= 12mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C  
5,0  
5,80  
2,80  
21  
6,50  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE= -15V...+15V  
µC  
nF  
nF  
mA  
nA  
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität  
input capacitance  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
0,85  
-
-
Kollektor Emitter Reststrom  
V
CE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C  
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C  
ICES  
5
collector emitter cut off current  
Gate Emitter Reststrom  
gate emitter leakage current  
V
IGES  
-
400  
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer  
approved: SM TM; Wilhelm Rusche  
date of publication: 2002-10-02  
revision: 3.0  
DB_FD300R12KE3_3.0  
2002-10-02  
1 (8)  
1234567...9

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