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FBI6A1M1

更新时间: 2024-01-13 04:32:32
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页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Bridge Rectifiers (In Line)

FBI6A1M1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSFM-T4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.05 VJESD-30 代码:R-PSFM-T4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:170 A元件数量:1
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

FBI6A1M1 数据手册

 浏览型号FBI6A1M1的Datasheet PDF文件第1页 
FBI6 - 1M1  
Characteristic Curves  
FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC  
Tamb = 25° C  
10  
1.0  
0.1  
8
heatsink  
Tc  
Tc  
_
6
4
2
0
+
sine wave  
R-load  
on heatsink  
on glass-epoxi substrate  
_
+
P.C.B.  
soldering land 5 mm ø  
sine wave  
R-load  
free in air  
0
0.6  
1.0  
1.4  
0
25 50 75 100 125 150 175  
Tamb, ambient temperature (°C)  
VF , instantaneous forward voltage (V)  
MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK  
FORWARD SURGE CURRENT  
200  
150  
100  
50  
0
1
10  
100  
Number of cycles at 50 Hz.  
Jan - 00  

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