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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F5021H | ETC |
获取价格 |
INTELLIGENT POWER SWITCH MOSFET |
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| F5022 | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 70V, 0.55ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| F5023 | ETC |
获取价格 |
INTELLIGENT MOSFET MOSFET |
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| F503 | TTELEC |
获取价格 |
U.L. Approved Dual Function Fuse Resistors |
|
| F503 | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F503010AA1A | IVO |
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Totalizers electromechanic |
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| F503010AA1C | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
|
| F503010AA2A | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
|
| F503010AA2C | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
|
| F503010AA3A | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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