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F1827DH1200

更新时间： 2024-02-14 11:07:55
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描述
Power Modules

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F1827DH1200 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.21
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：G-GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：300 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e3/e4通态非重复峰值电流：400 A
元件数量：1端子数量：5
最大通态电流：25000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：39.25 A重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

F1827DH1200 数据手册

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F18 Series  
•
•
Industry Standard Package and Circuits  
Power Control Building Blocks  
• Nine Circuits to Chose from  
AVAILABLE OPTIONS  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Description  
Symbol  
27  
42  
57  
92  
107 (2)  
105 A  
Maximum DC Output Current (Tc = 85°C)  
Maximum Voltage Drop @ Amps Peak  
Operating Junction Temperature Range  
25 A  
40 A  
55 A  
90 A  
ID  
1.55V @ 75 A  
-40 - 125°C  
1.4V @ 120 A  
-40 - 125°C  
1.4V @ 165 A  
-40 - 125°C  
1.4V @ 270 A  
-40 - 125°C  
1.65V @ 300 A  
-40 - 125°C  
VF  
TJ  
Critical Rate of Rise of On-State Current @ TJ=125°C [A/µs]  
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage [V/µs]  
100  
100  
100  
100  
100  
di/dt  
dv/dt  
1000  
1000  
1000  
1000  
1000  
400 (120 VAC)  
600 (240 VAC)  
800 (280 VAC)  
Repetitive Peak Reverse Voltage (AC Line Nominal) [Vpk]  
VRRM  
1200 (480 VAC)  
1400 (530 VAC)  
1600 (600 VAC)  
1500  
Maximum Non-Repetitive Surge Current (1/2 Cycle, 60 Hz) [A]  
Maximum I²T for Fusing (t=8.3ms) [A²sec]  
400  
670  
150  
3.0  
0.5  
5.0  
0.4  
1000  
4150  
150  
3.0  
1950  
15800  
150  
2250  
25000  
150  
ITSM  
I2T  
9350  
150  
3.0  
Minimum Required Gate Current to Trigger @ 25°C [mA]  
Minimum Required Gate Voltage to Trigger @ 25°C [V]  
Average Gate Power [W]  
IGT  
3.0  
3.0  
VGT  
PG(AV)  
VGM  
RJC  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
Maximum Peak Reverse Gate Voltage [V]  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ceramic Base per  
Chip [°C/W]  
0.28  
0.25  
0.14  
0.135  
Isolation Voltage [Vrms]  
2500  
2500  
2500  
2500  
2500  
VISOL  
1234

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