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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 负电源额定电压： | -4.5 V | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4KX1 | |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | -4.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.195 mA |
| 表面贴装： | NO | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F100470DCQM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CDIP18, |
|
| F100470FC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CDFP18, |
|
| F100470FCQM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CDFP18, |
|
| F100470FCQR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CDFP18, |
|
| F100474DC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 10ns, ECL, CDIP24, 0.400 INCH, CERDIP-24 |
|
| F100474DCQM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 25ns, CDIP24, |
|
| F100474FC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 10ns, ECL, CQFP24, CERPACK-24 |
|
| F100474FCQR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 25ns, CQFP24, |
|
| F1004A1-NT3G-75 | AMPHENOL |
获取价格 |
RF Connector, Male, Solder Terminal, Plug |
|
| F1005 | POLYFET |
获取价格 |
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
|
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