5秒后页面跳转
ERL218B1 PDF预览

ERL218B1

更新时间: 2024-01-30 20:58:40
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,

ERL218B1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XXMA-X4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-XXMA-X4JESD-609代码:e0
元件数量:4相数:1
端子数量:4最大输出电流:3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

ERL218B1 数据手册

  

与ERL218B1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ERL219B1 MICROSEMI Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,

获取价格

ERL2320-9B1G BEL DC-DC Regulated Power Supply Module,

获取价格

ERL2320-9RG BEL DC-DC Regulated Power Supply Module,

获取价格

ERL28-K-H-12P FERYSTER PHENOLIC

获取价格

ERL28-KH-12P FERYSTER PHOSPHOR BRONZE

获取价格

ERL2B1 ETC Single Phase Bridge

获取价格