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ER5E-T3-LF PDF预览

ER5E-T3-LF

更新时间： 2024-01-25 18:03:13
品牌 Logo 应用领域
WTE 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

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ER5E-T3-LF 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.3
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ER5E-T3-LF 数据手册

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®
ER5A – ER5J  
5.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SUPERFAST DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
Ideally Suited for Automatic Assembly  
B
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 150A Peak  
Low Power Loss  
Super-Fast Recovery Time  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
D
A
F
C
H
G
E
SMC/DO-214AB  
Min  
Mechanical Data  
Dim  
A
Max  
6.22  
7.11  
Case: SMC/DO-214AB, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
5.59  
B
6.60  
C
2.75  
3.25  
0.305  
8.13  
2.62  
0.203  
1.27  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
Weight: 0.21 grams (approx.)  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
0.152  
7.75  
E
F
2.00  
G
H
0.051  
0.76  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
ER5A ER5B ER5C ER5D ER5E ER5G ER5J  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
150  
105  
200  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
140  
5.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TL = 75°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage  
@IF = 5.0A  
VFM  
IRM  
0.95  
1.25  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
10  
500  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
35  
45  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
CJ  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 3)  
Thermal Resistance Junction to Lead (Note 3)  
RθJA  
RθJL  
47  
12  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.  
3. Mounted on PCB with 8.0mm x 8.0mm x 0.013mm thick copper pads.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
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