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ER1J-TR

更新时间: 2024-02-19 18:40:16
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美高森美 - MICROSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214BA, SMBJ, 2 PIN

ER1J-TR 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-214BA
包装说明:SMBJ, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214BAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.06 µs
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

ER1J-TR 数据手册

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