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EMC21L1004GN

更新时间: 2024-01-19 12:07:57
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 放大器射频微波功率放大器高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 193K
描述
High Voltage - High Power GaN-HEMT Power Amplifier Module

EMC21L1004GN 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.28其他特性:HIGH RELIABILITY
构造:COMPONENT增益:26 dB
最大输入功率 (CW):10 dBm最大工作频率:2170 MHz
最小工作频率:2110 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-20 °C射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER
最大电压驻波比:2.5

EMC21L1004GN 数据手册

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EMC21L1004GN  
High Voltage - High Power GaN-HEMT  
Power Amplifier Module  
2-Carrier IMD vs. Output Power  
dd1,2=50V Vgg1,2=-3.0V f =2.135GHz, f  
Peak/Avg. = 8.5dB@0.01% Probability(CCDF)  
V
1
2=2.145GHz(10MHz Spacing)  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
-65  
-70  
IM3  
IM5  
IM7  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
Output Power [dBm]  
Power Gain and Drain Current vs. Output Power  
V
dd1,2=50V Vgg1,2=-3.0V f1=2.135GHz, f2=2.145GHz(10MHz Spacing)  
Peak/Avg. = 8.5dB@0.01% Probability(CCDF)  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
Power  
Gain  
Drain  
Current  
0
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
Output Power [dBm]  
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