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EL5327CRZ-T7 PDF预览

EL5327CRZ-T7

更新时间： 2024-01-26 00:59:41
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 260K
描述
2.5MHz 4, 8, 10 & 12 Channel Rail-to-Rail Buffers

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EL5327CRZ-T7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN, TSSOP包装说明：SOP, TSSOP24,.25
针数：24, 24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.69放大器类型：BUFFER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.05 µA标称带宽 (3dB)：2.5 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.05 µA最大输入失调电压：15000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e3
长度：7.8 mm湿度敏感等级：3
负供电电压上限：-9 V标称负供电电压 (Vsup)：-5 V
功能数量：10端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSSOP24,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5/+-5/15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最小摆率：0.9 V/us
子类别：Buffer Amplifier最大压摆率：2.1 mA
供电电压上限：9 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

EL5327CRZ-T7 数据手册

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EL5127, EL5227, EL5327, EL5427  
Absolute Maximum Ratings (T = 25°C)  
A
Supply Voltage Between V + and V -. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+18V  
Maximum Die Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Curves  
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C  
S
S
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V - -0.5V, V +0.5V  
S
S
Maximum Continuous Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
ESD Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2kV  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typ values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests are  
at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T = T = T  
A
J
C
Electrical Specifications V + = +5V, V - = -5V, R = 10kΩ, C = 10pF to 0V, T = 25°C, unless otherwise specified.  
S
S
L
L
A
PARAMETER  
DESCRIPTION  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
15  
UNIT  
INPUT CHARACTERISTICS  
V
Input Offset Voltage  
V
= 0V  
1
5
mV  
µV/°C  
nA  
OS  
TCV  
CM  
(Note 1)  
= 0V  
Average Offset Voltage Drift  
Input Bias Current  
Input Impedance  
OS  
I
V
2
50  
B
CM  
R
1
GΩ  
IN  
IN  
C
Input Capacitance  
Voltage Gain  
1.35  
pF  
AV  
-4.5V ≤ V  
≤ 4.5V  
0.99  
1.01  
-4.85  
30  
V/V  
OUT  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
V
V
Output Swing Low  
I = -5mA  
-4.95  
4.95  
V
V
OL  
OH  
L
Output Swing High  
I = +5mA  
4.85  
100  
L
I
(max)  
Max Output Current (Note 2)  
R
= 10Ω  
±120  
mA  
OUT  
L
POWER SUPPLY PERFORMANCE  
PSRR Power Supply Rejection Ratio  
Supply Current  
V
is moved from ±2.25V to ±7.75V  
55  
80  
0.7  
1.2  
1.4  
1.6  
dB  
mA  
mA  
mA  
mA  
S
I
No load (EL5127)  
No load (EL5227)  
No load (EL5327)  
No load (EL5427)  
0.9  
1.4  
2
S
2.2  
DYNAMIC PERFORMANCE  
SR Slew Rate (Note 3)  
-4.0V ≤ V  
≤ 4.0V, 20% to 80%  
0.9  
2.2  
900  
2.5  
75  
V/µs  
ns  
OUT  
(A = +1), V = 2V step  
t
Settling to +0.1% (A = +1)  
V
S
V
O
BW  
-3dB Bandwidth  
R
= 10kΩ, C = 10pF  
MHz  
dB  
L
L
CS  
Channel Separation  
f = 100kHz  
NOTES:  
1. Measured over operating temperature range.  
2. Instantaneous peak current.  
3. Slew rate is measured on rising and falling edges.  
4
1234567...12

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