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EGP30D

更新时间： 2024-02-28 11:42:08
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4页 153K
描述
3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers

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EGP30D 数据手册

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July 2007  
EGP30A - EGP30K  
3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers  
Features  
•
•
•
•
•
Glass passivated cavity-free junction  
High surge current capability  
Low leakage current  
Superfast recovery time for high efficiency  
Low forward voltage, high current capability  
DO-201AD Glass case  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
Absolute Maximum Ratings* Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Average Rectified Current  
.375 " lead length @ TL = 55°C  
IO  
3.0  
A
if(surge)  
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half-sine-wave  
125  
A
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
PD  
W
6.25  
50  
mW°C  
Derate above 25°C  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
Junction and Storage Temperature Range  
20  
8.5  
°C/W  
°C/W  
°C  
RθJL  
TJ, TSTG  
-65 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics* Ta = 25°C unless otherwise noted  
Device  
Parameter  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Units  
30A  
50  
30B  
100  
70  
30C  
150  
105  
150  
30D  
200  
140  
200  
30F  
30G  
400  
280  
400  
30J  
600  
420  
600  
30K  
800  
560  
800  
300  
210  
300  
V
V
V
35  
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
50  
100  
Maximum Reverse Current  
@ rated VR TA = 25°C  
TA = 125°C  
5.0  
100  
μA  
μA  
Maximum Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
50  
75  
nS  
V
Maximum Forward Voltage @ 3.0 A  
0.95  
95  
1.25  
1.7  
Typical Junction Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
75  
pF  
* Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
EGP30A - EGP30K Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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EGP30D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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