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EC734N60A3R

更新时间： 2024-02-22 21:55:33

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N-Channel Power MOSFET

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EC734N60A3R 数据手册

EC734N60

N-Channel Power MOSFET

Features

◆ 600V, 4A, R_DS(ON)(Max.) = 2.4Ω @ VGS = 10V

◆ Low Crss

◆ Fast Switching

◆ 100 % Avalanche Tested

Applications

 Charger

 Standby Power.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C unless otherwise noted)

Limit

Symbol

Parameter

Unit

TO-251

TO-252

TO-220F

VDS

VGS

Drain – Source Voltage ^a

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous, TC =25 ℃

Drain Current-Continuous, TC =100 ℃

Drain Current-Pulsed ^b

Maximum Power Dissipation @ TJ =25 ℃

Single Pulsed Avalanche Energy ^e

600

±30

2.5

℃

IDM

EAS

217

TJ, TSTG Operating and Store Temperature Range

-55 to 150

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Unit

R_θJ_C

Thermal Resistance, Junction-Case Max.

3.58

120

1.61

110

℃ /W

R_θJ_A

Thermal Resistance, Junction-Ambient Max.

℃ /W

E-CMOS Corp. (www.ecmos.com.tw)

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4G22N-Rev.F001

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