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EBE20RE4AAFA-5C-E

更新时间: 2024-01-05 13:30:07
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
22页 187K
描述
2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 1 Rank)

EBE20RE4AAFA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):267 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N240
内存密度:19327352832 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:240
字数:268435456 words字数代码:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:256MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM240,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:NO LEAD端子节距:1 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EBE20RE4AAFA-5C-E 数据手册

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EBE20RE4AAFA  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
15ns  
27  
28  
29  
30  
31  
Minimum row precharge time (tRP)  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
3CH  
1EH  
3CH  
2DH  
02H  
Minimum row active to row active delay  
(tRRD)  
7.5ns  
15ns  
45ns  
2GB  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
Module rank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-5C  
32  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
25H  
35H  
38H  
48H  
10H  
0.25ns*1  
0.35ns*1  
0.38ns*1  
0.48ns*1  
0.10ns*1  
-4A  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-5C  
33  
-4A  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-5C  
34  
35  
-4A  
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
1
1
1
15H  
23H  
0.15ns*1  
0.23ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
28H  
3CH  
0.28ns*1  
15ns*1  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
-5C  
0
0
0
1
1
1
1
0
1EH  
7.5ns*1  
-4A  
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
28H  
1EH  
10ns*1  
7.5ns*1  
TBD  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
38  
39  
40  
41  
Memory analysis probe characteristics 0  
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
00H  
06H  
3CH  
Extension of Byte 41 and 42  
Active command period (tRC)  
0
0
60ns*1  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
42  
43  
44  
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
7FH  
80H  
1EH  
23H  
28H  
127.5ns*1  
8ns*1  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew (tDQSQ)  
-5C  
0.30ns*1  
0.35ns*1  
0.40ns*1  
-4A  
Data hold skew (tQHS)  
-5C  
45  
-4A  
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
0
1
1
0
2DH  
0FH  
00H  
0.45ns*1  
46  
PLL relock time  
15µs  
47 to 61  
Data Sheet E0440E30 (Ver. 3.0)  
6

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