5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > EBE11UD8AESA
EBE11UD8AESA PDF预览

EBE11UD8AESA

更新时间： 2022-12-12 00:59:31
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
22页 210K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

阅读下载

获取价格

EBE11UD8AESA 数据手册

 浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第9页 
EBE11UD8AESA  
Hex  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 value  
Comments  
15ns  
27  
28  
29  
Minimum row precharge time (tRP)  
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
0
3CH  
1EH  
3CH  
Minimum row active to row active  
delay (tRRD)  
7.5ns  
15ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
Minimum active to precharge time  
30  
(tRAS)  
0
0
1
0
1
1
0
1
2DH  
45ns  
-6E, -5C  
-4A  
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
28H  
80H  
40ns  
31  
32  
Module rank density  
512M bytes  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6E  
0
0
1
0
0
0
0
0
20H  
0.20ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
25H  
35H  
0.25ns*1  
0.35ns*1  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6E  
33  
0
0
1
0
1
0
0
0
28H  
0.28ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
38H  
48H  
0.38ns*1  
0.48ns*1  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
34  
35  
0
0
0
1
0
0
0
0
10H  
0.10ns*1  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
1
0
15H  
18H  
0.15ns*1  
0.18ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6E  
-5C  
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
0
23H  
28H  
3CH  
0.23ns*1  
0.28ns*1  
15ns*1  
-4A  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
0
0
0
1
1
1
1
0
1EH  
7.5ns*1  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
28H  
1EH  
10ns*1  
7.5ns*1  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
38  
39  
40  
Memory analysis probe characteristics 0  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
00H  
00H  
TBD  
Extention of Byte 41 and 42  
0
0
0
0
1
0
Undefined  
Active command period (tRC)  
-6E, -5C  
41  
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
3CH  
37H  
69H  
80H  
18H  
60ns*1  
55ns*1  
105ns*1  
8ns*1  
-4A  
Auto refresh to active/  
42  
43  
44  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6E  
0.24ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1EH  
23H  
0.30ns*1  
0.35ns*1  
Data hold skew (tQHS)  
-6E  
45  
46  
0
0
1
0
0
0
1
0
22H  
0.34ns*1  
-5C  
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
28H  
2DH  
00H  
0.40ns*1  
0.45ns*1  
Undefined  
-4A  
PLL relock time  
Data Sheet E0589E30 (Ver. 3.0)  
6
1...3456789...22

下载PDF

与EBE11UD8AESA相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE11UD8AESA-4A-E ELPIDA 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AESA-5C-E ELPIDA 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AESA-6E-E ELPIDA 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA-4A-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA-5C-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格

与EBE11UD8AESA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证