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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11ED8ABFA-4A-E
EBE11ED8ABFA-4A-E PDF预览

EBE11ED8ABFA-4A-E

更新时间： 2024-01-27 03:32:16
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
22页 174K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE11ED8ABFA-4A-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.43访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N240内存密度：9663676416 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：240字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：128MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM240,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
子类别：DRAMs最大压摆率：3.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE11ED8ABFA-4A-E 数据手册

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EBE11ED8ABFA  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
128 bytes  
Number of bytes utilized by module  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
manufacturer  
Total number of bytes in serial PD  
device  
256 bytes  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
08H  
0EH  
0AH  
61H  
48H  
00H  
05H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
10  
2
72  
Module data width continuation  
0
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 1.8V  
DDR SDRAM cycle time, CL = 5  
9
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
3DH  
50H  
50H  
3.75ns*1  
5.0ns*1  
0.5ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
SDRAM access from clock (tAC)  
-5C  
10  
-4A  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
60H  
02H  
82H  
08H  
08H  
00H  
0.6ns*1  
ECC  
7.8µs  
× 8  
11  
12  
13  
14  
15  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
× 8  
0
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
18  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0CH  
04H  
38H  
4,8  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
4
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
3, 4, 5  
19  
20  
21  
22  
Reserved  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
00H  
02H  
00H  
30H  
0
DIMM type information  
SDRAM module attributes  
SDRAM device attributes: General  
Unbuffered  
Normal  
VDD ± 0.1V  
Minimum clock cycle time at CL = 4  
-5C  
23  
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
3DH  
50H  
3.75ns*1  
5.0ns*1  
-4A  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 4  
-5C  
24  
0
1
0
1
0
0
0
0
50H  
0.5ns*1  
-4A  
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
60H  
50H  
0.6ns*1  
5.0ns*1  
Minimum clock cycle time at CL = 3  
-5C, -4A  
25  
26  
27  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 3  
-5C, -4A  
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
60H  
3CH  
0.6ns*1  
15ns  
Minimum row precharge time (tRP)  
-5C, -4A  
Data Sheet E0379E40 (Ver. 4.0)  
5
12345678...22

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与EBE11ED8ABFA-4A-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE11ED8ABFA-4C ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, DIMM-240

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EBE11ED8ABFA-4C-E ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-240

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EBE11ED8ABFA-5C ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.5ns, CMOS, DIMM-240

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EBE11ED8ABFA-5C-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE11ED8AEFA ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

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