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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC144EM3T5G
DTC144EM3T5G PDF预览

DTC144EM3T5G

更新时间： 2024-01-12 14:58:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 82K
描述
Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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DTC144EM3T5G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 631AA-01, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.33Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC144EM3T5G 数据手册

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DTC114EM3T5G Series  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS − DTC114EM3T5G  
1
1000  
I /I = 10  
C B  
V
= 10 V  
T ꢁ=ꢁ−25°C  
A
CE  
25°C  
T ꢁ=ꢁ75°C  
A
25°C  
0.1  
−25°C  
75°C  
100  
0.01  
0.001  
10  
0
20  
40  
50  
1
10  
100  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 2. VCE(sat) versus IC  
Figure 3. DC Current Gain  
4
3
100  
10  
25°C  
75°C  
f = 1 MHz  
= 0 V  
I
E
T ꢁ=ꢁ−25°C  
A
T
= 25°C  
A
1
0.1  
2
1
0
0.01  
0.001  
V
= 5 V  
9
O
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10  
V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)  
R
V , INPUT VOLTAGE (VOLTS)  
in  
Figure 4. Output Capacitance  
Figure 5. Output Current versus Input Voltage  
10  
V
= 0.2 V  
T ꢁ=ꢁ−25°C  
A
O
25°C  
75°C  
1
0.1  
0
10  
20  
30  
40  
50  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 6. Input Voltage versus Output Current  
http://onsemi.com  
5
12345678...10

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DTC144EM3T5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC144TM3T5G ONSEMI

类似代替

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DTC144EXV3T1 ONSEMI

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DTC144WM3T5G ONSEMI

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DTC144ERL1 ONSEMI

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN
DTC144ERLRE ONSEMI

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN

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