DTA143XUB

更新时间： 2024-01-17 02:31:26

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罗姆 - ROHM		晶体数字晶体管
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描述
-100mA / -50V Digital transistors

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DTA143XUB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DTA143XUB 数据手册

-100mA / -50V Digital transistors

(with built-in resistors)

DTA143XUB

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

PNP silicon epitaxial planar transistor type

(Resistor built-in)

UMT3F

2.0

0.9

0.32

(3)

zFeatures

1) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see equivalent circuit).

(1)

0.65 0.65

1.3

(2)

0.13

2) The bias resistors consist of thin-film resistors

with complete isolation to allow negative biasing

of the input. They also have the advantage of

almost completely eliminating parasitic effects.

3) Only the on/off conditions need to be set for

operation, making the device design easy.

Each lead has same dimensions

(1) IN

(2) GND

(3) OUT

Abbreviated symbol : 33

zApplications

zInner circuit

Inverter, Interface, Driver

OUT

zPackaging specifications

GND(+)

Package

UMT3F

Taping

Packaging type

Code

OUT

Part No.

Basic ordering unit (pieces)

3000

GND(+)

DTA143XUB

R1=4.7kΩ, R2=10kΩ

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Supply voltage

C(max.)

−50

−20 to +7

−100

Input voltage

∗1

Collector current

°C

Output current

−100

∗2

Power dissipation

Junction temperature

Range of storage temperature

200

Tstg

150

−55 to +150

°C

∗1 Characteristics of built-in transistor

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

www.rohm.com

2009.07 - Rev.B

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