5秒后页面跳转
DTA123YLATL2 PDF预览

DTA123YLATL2

更新时间: 2024-01-13 09:37:24
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 164K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 PIN

DTA123YLATL2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.58Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):33JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

DTA123YLATL2 数据手册

 浏览型号DTA123YLATL2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA123YLATL2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTA123YLATL2的Datasheet PDF文件第4页 

与DTA123YLATL2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA123YLATL3 ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3
DTA123YLATL4 ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3
DTA123YM ROHM

获取价格

本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻,因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。
DTA123YM TSC

获取价格

PNP Small Signal Transistor
DTA123YM CJ

获取价格

SOT-723
DTA123YM BL Galaxy Electrical

获取价格

50V,100mA,PNP Bipolar Digital Transistor
DTA123YM_14 TSC

获取价格

PNP Small Signal Transistor
DTA123YN3 CYSTEKEC

获取价格

PNP Digital Transistors (Built-in Resistors)
DTA123YS ETC

获取价格

TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR
DTA123YS3 CYSTEKEC

获取价格

PNP Digital Transistors (Built-in Resistors)