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DS1345WP-100

更新时间: 2024-01-13 01:26:15
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 电池存储内存集成电路静态存储器监控
页数 文件大小 规格书
12页 250K
描述
3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DS1345WP-100 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DMA
包装说明:ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34针数:34
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.44
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-XDMA-U34
JESD-609代码:e3内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:34字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:J INVERTED
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

DS1345WP-100 数据手册

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DS1345W  
DS1345W NONVOLATILE SRAM, 34-PIN POWERCAP MODULE  
INCHES  
PKG  
DIM  
A
MIN NOM MAX  
0.920 0.925 0.930  
0.980 0.985 0.990  
B
C
-
-
0.080  
D
0.052 0.055 0.058  
0.048 0.050 0.052  
0.015 0.020 0.025  
0.020 0.025 0.030  
E
F
G
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