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DMTH6016LK3

更新时间： 2023-12-06 20:10:58

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7页	536K
描述
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMTH6016LK3 数据手册

DMTH6016LK3

1.8

1.6

1.4

1.2

0.035

0.03

0.025

0.02

0.015

0.01

0.005

V_GS= 4.5V, I_D= 6A

I_D= 1mA

I_D= 250µA

V_GS= 10V, I_D= 10A

0.8

0.6

0.4

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (℃)

Figure 8. Gate Threshold Variation vs.Temperature

Figure 7. On-Resistance Variation with Temperature

V_GS= 0V

10000

f = 1MHz

C_iss

1000

100

C_oss

C_rss

T_A= 175^oC

T_A= 150^oC

T_A= 125^oC

T_A= 85^oC

T_A= 25^oC

T_A= -55^oC

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 10. Typical Junction Capacitance

V_SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)

Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current

1000

100

R_DS(ON)

Limited

P_W= 10µs

P_W= 1µs

P_W= 1s

P_W= 100ms

P_W= 10ms

P_W= 1ms

P_W= 100µs

T_J(Max)= 175℃

T_C= 25℃

Single Pulse

DUT on Infinite Heatsink

V_GS= 10V

V_DS= 30V, I_D= 10A

0.1

0.01

10 12 14 16 18

Q_g(nC)

Figure 11. Gate Charge

0.1

100

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 12. SOA, Safe Operation Area

4 of 7

www.diodes.com

April 2018

DMTH6016LK3

Document number: DS38738 Rev. 2 - 2

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