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DMNH6042SPS

更新时间： 2023-12-06 20:10:55

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9页	606K
描述
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMNH6042SPS 数据手册

DMNH6042SPS

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

2.8

2.6

2.4

2.2

V_GS= 4.5V, I_D= 4.4A

I_D= 1mA

1.8

1.6

1.4

1.2

I_D= 250µA

V_GS= 10V, I_D= 5.1A

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (℃)

Figure 8. Gate Threshold Variation vs. Junction

Temperature

Figure 7. On-Resistance Variation with Temperature

V_GS= 0V

1000

100

f = 1MHz

C_iss

T_A= 175^oC

T_A= 150^oC

C_oss

T_A= 125^oC

T_A= 85^oC

C_rss

T_A= 25^oC

T_A= -55^oC

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60

0.3

0.6

0.9

1.2

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 10. Typical Junction Capacitance

V_SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)

Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current

100

P_W=10µs

R_DS(ON)Limited

P_W=100µs

P_W=1ms

P_W=10ms

P_W=100ms

P_W=1s

T_J(Max)=175℃

T_C=25℃

V_DS= 44V, I_D= 5.2A

0.1

0.01

Single Pulse

DUT on infinite heatsink

V_GS=10V

0.1

100

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 12. SOA, Safe Operation Area

Q_g(nC)

Figure 11. Gate Charge

5 of 9

www.diodes.com

June 2023

DMNH6042SPS

Document number: DS38683 Rev. 2 - 2

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