是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.54 | 系列: | LS |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.43 mm | 负载电容(CL): | 15 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.004 A |
功能数量: | 4 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 输出特性: | OPEN-COLLECTOR |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 最大电源电流(ICC): | 4.4 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 32 ns | 传播延迟(tpd): | 15 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Gates | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | TTL |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM54LS03J/883B | NSC |
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IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,LS-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC | |
DM54LS03J/883B | ROCHESTER |
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NAND Gate | |
DM54LS03M | FAIRCHILD |
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NAND Gate, LS Series, 4-Func, 2-Input, TTL, PDSO14, PLASTIC, SOP-14 | |
DM54LS03N | FAIRCHILD |
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NAND Gate, LS Series, 4-Func, 2-Input, TTL, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 | |
DM54LS03W | ETC |
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Quad 2-input NAND Gate | |
DM54LS03W/883 | TI |
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LS SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 | |
DM54LS03W/883B | NSC |
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IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,LS-TTL,FP,14PIN,CERAMIC | |
DM54LS03W/883C | NSC |
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IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,LS-TTL,FP,14PIN,CERAMIC | |
DM54LS04 | NSC |
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Hex Inverting Gates | |
DM54LS04E | NSC |
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Hex Inverting Gates |