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DL4759 PDF预览

DL4759

更新时间： 2024-01-12 02:30:04
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
3页 195K
描述
ZENER DIODES

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DL4759 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MELF
包装说明：ROHS COMPLIANT, GLASS, MELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.54
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：125 Ω
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：62 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：10最大电压容差：10%
工作测试电流：4 mABase Number Matches：1

DL4759 数据手册

 浏览型号DL4759的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DL4759的Datasheet PDF文件第3页 
(TA=25  
)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Max surge  
current  
8.3ms  
Maximum  
regulator  
current 2)  
Nominal  
Test  
Maximum reverse  
leakage current  
Maximum dynamic impedance  
zener  
current  
voltage 1)  
Type  
IR@Tamb  
=25  
IZM @Tamb  
=50  
Vz@IZT  
IZT  
IZT@ZZT ZZK@IZK  
IZK  
IR  
@VR  
(mA)  
(V)  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
56  
62  
68  
75  
82  
91  
100  
(mA)  
76  
69  
64  
58  
53  
49  
45  
41  
37  
34  
31  
28  
25  
23  
21  
19  
(Ω)  
10  
10  
9
9
8
7
5
2
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
7
(Ω)  
400  
400  
400  
400  
500  
550  
600  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
700  
750  
750  
750  
750  
750  
1000  
1000  
1000  
1000  
1500  
1500  
1500  
2000  
2000  
2000  
2000  
3000  
3000  
3000  
(μA)  
100  
100  
50  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
(V)  
1
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
7.6  
8.4  
9.1  
9.9  
11.4  
12.2  
13.7  
15.2  
16.7  
18.2  
20.6  
22.8  
25.1  
27.4  
29.7  
32.7  
35.8  
38.8  
42.6  
47.1  
51.7  
56.0  
62.2  
69.2  
79.0  
(mA)  
1380  
1260  
1190  
1070  
970  
890  
810  
730  
660  
605  
550  
500  
454  
414  
380  
344  
304  
285  
250  
225  
205  
190  
170  
150  
135  
125  
115  
110  
95  
(mA)  
276  
252  
234  
217  
193  
178  
462  
146  
133  
121  
110  
100  
91  
83  
76  
69  
61  
57  
50  
45  
41  
38  
34  
30  
27  
25  
23  
22  
19  
18  
16  
14  
13  
12  
11  
10  
9
DL4728  
DL4729  
DL4730  
DL4731  
DL4732  
DL4733  
DL4734  
DL4735  
DL4736  
DL4737  
DL4738  
DL4739  
DL4740  
DL4741  
DL4742  
DL4743  
DL4744  
DL4745  
DL4746  
DL4747  
DL4748  
DL4749  
DL4750  
DL4751  
DL4752  
DL4753  
DL4754  
DL4755  
DL4756  
DL4757  
DL4758  
DL4759  
DL4760  
DL4761  
DL4762  
DL4763  
DL4764  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
8
9
10  
14  
16  
20  
22  
23  
25  
35  
40  
45  
50  
60  
70  
80  
95  
110  
125  
150  
175  
200  
250  
350  
17  
15.5  
14  
12.5  
11.5  
10.5  
9.5  
8.5  
7.5  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.7  
3.3  
3.0  
2.8  
2.5  
90  
80  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
1)Based on dc_measurement at theral equilibrium while maitaining the lead temperature (TL) at 30 +1 ,9.5mm(3/8")f rom the Diode body .  
2)Valid prov ided that electrodes at a distance of 10 mm f orm case kept at ambient temperature.  
*)Additionnal measurement of v oltage gruup 9v 1 to 75 at 95% VZMIN  
35nA at TJ25  
www.galaxycn.com  
2.  
BLGALAXY ELECTRICAL  
Document Number 0284021  
123

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