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DK1310FZ

更新时间: 2024-01-22 23:42:12
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 209K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),130A I(T),TO-209AC

DK1310FZ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
标称电路换相断开时间:30 µs关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大漏电流:15 mA通态非重复峰值电流:1600 A
最大通态电流:130000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C断态重复峰值电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

DK1310FZ 数据手册

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