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DHF30IM600PN PDF预览

DHF30IM600PN

更新时间： 2024-02-20 00:58:40
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 189K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN

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DHF30IM600PN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DHF30IM600PN 数据手册

 浏览型号DHF30IM600PN的Datasheet PDF文件第2页 
DHF 30 IM 600PN  
advanced  
VRRM = 600 V  
Sonic-FRD  
15 A  
IFAV  
trr  
=
=
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Single Diode  
35 ns  
1
(Marking on product)  
Part number  
2
DHF 30 IM 600PN  
3
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
TO-220FPAB  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
● Industry standard outline  
● Plastic overmolded tab for  
electrical isolation  
● Epoxy meets UL 94V-0  
● RoHS compliant  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
max. repetitive reverse voltage  
=
=
25 °C  
25 °C  
600  
V
TVJ  
reverse current  
V = 600  
50  
5
V
V
TVJ  
TVJ  
TVJ  
µA  
R
V = 600  
= 125 °C  
25 °C  
mA  
R
forward voltage  
IF  
IF  
=
=
30 A  
=
2.37  
3.18  
V
V
VF  
60 A  
IF  
IF  
=
=
30 A  
60 A  
TVJ = 125 °C  
2.22  
3.11  
V
V
average forward current  
threshold voltage  
IFAV  
rectangular, d = 0.5  
TC  
=
35 °C  
15  
A
V
VF0  
rF  
TVJ = 150 °C  
1.31  
29.2  
for power loss calculation only  
slope resistance  
m
Ω
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
RthJC  
TVJ  
3.50  
150  
35  
K/W  
°C  
W
-55  
Ptot  
=
=
=
25 °C  
45 °C  
25 °C  
TC  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
IFSM  
IRM  
tp = 10 ms (50 Hz), sine  
TVJ  
200  
A
12  
A
A
TVJ  
TVJ  
IF = 30 A;  
= 125 °C  
25 °C  
= 125 °C  
-diF /dt = 600 A/µs  
VR = 400 V  
t rr  
reverse recovery time  
=
35  
40  
ns  
ns  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
junction capacitance  
CJ  
VR = 300 V;  
=
=
°C  
pF  
mJ  
A
f = 1 MHz  
2 A; L = 100 µH  
V = 1.5·V typ.;  
25  
non-repetitive avalanche energy  
repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
IAS  
=
TVJ  
25 °C  
0.5  
0.9  
f = 10 kHz  
A
R
Recommended replacement:  
DHG30I600HA, DHG30I600PA  
* Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
© 2006 IXYS all rights reserved  
20080317a  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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