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DG2002DL

更新时间： 2024-01-17 07:52:33
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页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
Analog Switch

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DG2002DL 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP6,.08针数：6
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.87模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
长度：2 mm正常位置：NC
信道数量：1功能数量：1
端子数量：6标称断态隔离度：67 dB
最大通态电阻 (Ron)：46.1 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP6,.08封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
最长断开时间：17 ns最长接通时间：31 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.25 mm

DG2002DL 数据手册

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DG2002  
Vishay Siliconix  
New Product  
SPECIFICATIONS (V+ = 3.0 V)  
Test Conditions  
Limits  
Otherwise Unless Specified  
–40 to 85_C  
Minb  
Typc  
Maxb  
Unit  
e
Tempa  
V+ = 3 V, "10%, V = 0.4 or 2.0 V  
IN  
Parameter  
Analog Switch  
Symbol  
V
, V  
,
NO NC  
d
Analog Signal Range  
Full  
0
V+  
V
V
r
COM  
Room  
Full  
12.2  
13  
14.8  
15.8  
d
On-Resistance  
r
V+ = 2.7 V, V  
= 1.5 V, I , I = 10 mA  
ON  
COM NO NC  
W
ON  
d
r
ON  
Flatness  
V+ = 2.7 V, V  
= 0 to V+, I , I = 10 mA  
Room  
5
COM NO NC  
Flatness  
I
I
Room  
Full  
–500  
–4.0  
500  
4.0  
pA  
nA  
NO(off),  
NC(off)  
V+ = 3.3 V  
f
Switch Off Leakage Current  
V
V
= 1 V/3 V, V  
= 3 V/1 V  
NO, NC  
COM  
Room  
Full  
–500  
–4.0  
500  
4.0  
pA  
nA  
I
COM(off)  
Room  
Full  
–500  
–4.0  
500  
4.0  
pA  
nA  
f
Channel-On Leakage Current  
I
V+ = 3.3 V, V  
V
= V  
= 1 V/3 V  
COM(on)  
NO, NC  
COM  
Digital Control  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
V
Full  
Full  
Full  
Full  
2
INH  
V
V
0.4  
1
INL  
d
Input Capacitance  
C
3
pF  
in  
Input Current  
IINL or IINH  
V
= 0 or V+  
–1  
mA  
IN  
Dynamic Characteristics  
Room  
Full  
12  
7
21  
22  
d
Turn-On Time  
t
ON  
V
or V = 2.0 V, R = 300 W, C = 35 pF  
NO  
NC  
L
L
Room  
Full  
14  
15  
ns  
d
Turn-Off Time  
t
Figure 1 and 2  
OFF  
d
Break-Before-Make Time  
t
Room  
Room  
Room  
Room  
1
6
d
d
Charge Injection  
Q
INJ  
C = 1 nF, V  
= 0 V, R = 0 W, Figure 3  
GEN  
5
10  
pC  
dB  
L
GEN  
d
Off-Isolation  
OIRR  
–67  
–69  
R
L
= 50 W, C = 5 pF, f = 1 MHz  
L
d
Crosstalk  
X
TALK  
C
C
NO(off),  
d
NO, NC Off Capacitance  
Room  
Room  
5
NC(off)  
V
= 0 or V+, f = 1 MHz  
pF  
IN  
d
Channel-On Capacitance  
C
ON  
29  
Power Supply  
Power Supply Range  
Power Supply Current  
Power Consumption  
V+  
I+  
2.7  
3.3  
1.0  
3.3  
V
0.01  
mA  
mW  
V
= 0 or V+  
IN  
P
C
Document Number: 71448  
S-03501—Rev. A, 16-Apr-01  
www.vishay.com  
3
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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