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DFB2010

更新时间： 2024-01-18 13:06:25
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管桥式整流二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
4页 419K
描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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DFB2010 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.2
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1728306Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Bridge RectifierSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：SIP4 30x20 CASE 127EPSamacsys Released Date：2019-01-09 16:13:23
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：100 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DFB2010 数据手册

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July 2010  
DFB2005 - DFB20100  
Glass Passivated Bridge Rectifiers  
Features  
• UL certificate # E326243  
• Glass passivated junction  
• Ideal for printed circuit board  
• Reliable low cost construction  
• Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0  
• Surge overload rating to 250 amperes peak  
• High case dielectric strength of 2000 VRMS  
• Isolated voltage from case to lead over 2500 volts  
+
~
~
-
TS-6P  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
Symbol  
Parameter  
Units  
DFB20 DFB20 DFB20 DFB20 DFB20 DFB20 DFB20  
05***  
10***  
20***  
40***  
60  
80*** 100***  
Maximum  
VRRM  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
100  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
1000  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum  
I(AV)  
IFSM  
20  
A
A
Average Forward Rectified Current  
Peak Forward Surge Current  
(8.3mS Single Half-wave)  
250  
RθJC  
TJ  
TSTG  
0.8  
°C/W  
°C  
°C  
Typical Thermal Resistance**  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
* Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%  
** Device mounted on 4" x 5" x 0.25" Al-plate heat sink.  
*** In development. Please contact Fairchild Semiconductor for more information.  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Test condition  
Value  
Unit  
Maximum  
Instantaneous Forward Voltage  
@ 10A  
@ 20A  
1.0  
1.1  
VF  
V
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Rating for fusing (t < 8.3mS)  
@ TA = 25°C  
@ TA = 125°C  
10  
IR  
µA  
500  
I2t  
Cj  
259  
140  
A2S  
pF  
Typical Junction Capacitance per leg*  
* Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC.  
© 2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
DFB2005 - DFB20100 Rev. A2  
1
1234

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