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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 1.7 | 最大击穿电压： | 9.5 V |
| 最小击穿电压： | 5.5 V | 击穿电压标称值： | 7.5 V |
| 最大钳位电压： | 14 V | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 130 W |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 参考标准： | IEC-61000-4-5 | 最大重复峰值反向电压： | 5 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DESD5V0S1BAQ | DIODES |
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LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE |
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| DESD5V0S1BAQ-7 | DIODES |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 130W, 5V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, SOD-32 |
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| DESD5V0S1BB | DIODES |
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| DESD5V0S1BL | DIODES |
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LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE |
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| DESD5V0S1BL-7B | DIODES |
获取价格 |
LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE |
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| DESD5V0S1BLD | DIODES |
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| DESD5V0S1BLD-7B | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 130W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, X2-DFN |
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| DESD5V0S1BLP3 | DIODES |
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| DESD5V0S1BLP3-7 | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 145W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, X3-DFN |
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| DESD5V0U1BA | DIODES |
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