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DDTB114GC-13 PDF预览

DDTB114GC-13

更新时间： 2024-09-30 14:41:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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DDTB114GC-13 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.49Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

DDTB114GC-13 数据手册

 浏览型号DDTB114GC-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DDTB114GC-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: DDTB113EC DDTB123EC DDTB143EC DDTB114EC DDTB122JC DDTB113ZC DDTB123YC DDTB133HC  
DDTB123TC DDTB143TC DDTB114TC DDTB114GC  
DDTB (xxxx) C  
PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23  
SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
A
Complementary NPN Types Available (DDTD)  
Built-In Biasing Resistors, R1, R2  
3
OUT  
SOT-23  
Min  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version  
(Note 2)  
TOP VIEW  
B
C
Dim  
A
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
IN  
2
1
GND  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
D
G
Mechanical Data  
·
·
E
B
H
C
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
D
K
M
E
J
L
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
G
H
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
J
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 4, on Page 3  
K
L
·
Marking: Date Code and Type Code (See Table Below &  
Page 3)  
M
OUT (3)  
GND (1)  
R1  
a
(2) IN  
·
·
Ordering Information (See Page 3)  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
R2  
P/N  
R1 (NOM) R2 (NOM) Type Code  
DDTB113EC  
DDTB123EC  
DDTB143EC  
DDTB114EC  
DDTB122JC  
DDTB113ZC  
DDTB123YC  
DDTB133HC  
DDTB123TC  
DDTB143TC  
DDTB114TC  
DDTB114GC  
1K  
2.2K  
4.7K  
10K  
0.22K  
1K  
2.2K  
3.3K  
2.2K  
4.7K  
10K  
0
1K  
2.2K  
4.7K  
10K  
P60  
P61  
P62  
P63  
P64  
P65  
P66  
P67  
P69  
P70  
P71  
P72  
4.7K  
10K  
10K  
10K  
OPEN  
OPEN  
OPEN  
10K  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCC  
Value  
Unit  
Supply Voltage, (3) to (1)  
Input Voltage, (2) to (1)  
-50  
V
DDTB113EC  
DDTB123EC  
DDTB143EC  
DDTB114EC  
DDTB122JC  
DDTB113ZC  
DDTB123YC  
DDTB133HC  
+10 to -10  
+10 to -12  
+10 to -30  
+10 to -40  
+5 to -5  
+5 to -10  
+5 to -12  
+6 to -20  
VIN  
V
Input Voltage, (1) to (2)  
DDTB123TC  
DDTB143TC  
DDTB114TC  
DDTB114GC  
VEBO (MAX)  
-5  
V
IC  
Pd  
Output Current  
All  
-500  
200  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
625  
-55 to +150  
Note: 1. Mounted on FR4 PC Board with recommended pad layout at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30385 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
DDTB (xxxx) C  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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与DDTB114GC-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DDTB114GC-7 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
DDTB114GC-7-F DIODES

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 		PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTB114GU DIODES

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 		PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTB114GU-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
DDTB114GU-7 DIODES

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