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DB2G40800L

更新时间： 2024-01-04 06:37:30

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罗姆 - ROHM		二极管
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9页	324K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon,

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DB2G40800L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XBCC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.0088 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DB2G40800L 数据手册

Doc No. TT4-EA-14984

Revision. 2

Product Standards

Schottky Barrier Diode

DB2G40800L

For rectification

Unit: mm

 Features



Low forward voltage VF

Forward current (Average) IF(AV) ≦ 1.0 A rectification is possible

RoHS compliant

0.6

(EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)

 Marking Symbol: D4

0.47

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing) : 20 000 pcs / reel (standard)

0.21

 Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

VRM

IF(AV)

IFSM

Min

Max

Unit

Reverse Voltage ^*1

0.1

0.47 0.21

Maximum Peak Reverse Voltage ^*1

Average Forward Current ^*2,3

Average Forward Current ^*2,4

Non-repetitive Peak Surge Forward Current ^*1,5

Operating Junction Temperature ^*6

Ambient Temperature

1. Cathode

2. Anode

1.0

°C

Panasonic

JEITA

DCSP1006010-N1

150

+150

Tstg

—

-40

-55

Storage Temperature

Note) *1: Ta = Tj = 25℃

Code

*2: Squre wave : σ = 0.5

Ta ≦ 95℃, when device mounted on a FR4 PCB (25.4mm×25.4mm, 1mm thick), copper wiring (620.0mm²area, 36μm thick).

*3:

*4: Tsp ≦ 138℃

*5: Squre wave : Tp = 5 ms

*6: Power derating is necessary so that Tj < 150℃.

(Waveform definition)

Duty Cycle : σ =

Time

 Electrical Characteristics Ta = 25 °C ± 3 °C

Parameter

Forward Voltage

Reverse Current

Terminal Capacitance

Reverse Recovery Time ^*1

Symbol

Conditions

Min Typ Max

Unit

μA

trr

IF = 1.0 A

VR = 40 V

0.37 0.46

400 1200

VR = 10 V, f = 1 MHz

IF = IR = 100 mA, Irr = 10 mA

8.8

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.).

Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage of current from the operating equipment.

3. *1: Measurement circuit, input pulse, output pulse for Reverse recovery time

(Measurement circuit)

(Input pulse)

(Output pulse)

tr tp

trr

(2)

(3)

DUT

(1)

10%

90%

Irr = IR ÷10

(1) Bias Insertion Unit (N-50BU)

tp = 2 μs

tr = 0.35 ns

σ = 0.05

IF = 100 mA

(2) Pulse Generator (PG-10N), RS = 50 Ω

IR = 100 mA

Irr = 10 mA

(3) Wave Form Analyzer (SAS-8130), Ri = 50 Ω

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Established : 2014-08-22

Revised : 2014-09-30

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