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D8320N06TVFXPSA1

更新时间： 2024-01-22 00:47:51

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英飞凌 - INFINEON		测试二极管
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8页	232K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8320A, 600V V(RRM), Silicon,

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D8320N06TVFXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-CEDB-N2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.94 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	95000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-25 °C	最大输出电流：	8320 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	100000 µA
反向测试电压：	600 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D8320N06TVFXPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D8320N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

400 V

600 V

T_vj= -25°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

13300 A

8320 A

maximum RMS on-state current

T_C= 56 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

103000 A

95000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

53000 10³A²s

45000 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 10,0 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4,0 kA

v_F

max.

0,940 V

0,795 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,7 V

mΩ

0,024

Ersatzwiderstand

slope resistance

8,869E-01

2,664E-06

-4,856E-02

4,741E-03

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

2500 A ≤ i_F≤ 35000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

100 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Thermische_KE_ühlfi_läg_che_{e /}n_cos_olic_ngh_sua_rfaf_ceten

R_thJC

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

max. 0,0125 °C/W

max. 0,0117 °C/W

max. 0,0232 °C/W

max. 0,0225 °C/W

max. 0,0250 °C/W

max. 0,0245 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

0,003 °C/W

180

beidseitig / two-sided

max.

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

°C

-25...+150 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2008-04-10

revision:

prepared by:

approved by: M.Leifeld

A 15/08

1/8

IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann

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D8327A-5	AMD	获取价格	Multimode DMA Controller
D8327A-5B	AMD	获取价格	Multimode DMA Controller
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D836	PETERMANN	获取价格	HIGH RELIABILITY FOR LOW COST
D83A	ETC	获取价格	Analog IC
D83C	TTELEC	获取价格	Single-In-Line
D8-3C	TTELEC	获取价格	DIODE NETWORKS D SERIES

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