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D475N32B

更新时间: 2024-10-01 06:22:03
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英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 108K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 475A, 3200V V(RRM), Silicon,

D475N32B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.78 V
JESD-30 代码:O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流:10900 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:160 °C
最大输出电流:475 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER

D475N32B 数据手册

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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
GmbH + Co. KG  
Leistungsgleichrichterdioden  
Power Rectifier Diodes  
D 475 N  
Circuit  
symbol  
Prot. flex.  
tubing  
Type  
N
Cathode Anode  
70mm² Cu  
Rope  
Case  
Case  
Rope  
red  
K
blue  
ø3,2 x 15  
SW41  
12,5  
M24 x 1,5  
VWK July 1996  

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CAPACITOR, CERAMIC, 100 V, C0G, 0.0000047 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMP
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CAPACITOR, CERAMIC, 100 V, C0G, 0.0000047 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMP
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CAPACITOR, CERAMIC, 100 V, C0G, 0.0000047 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMP