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D20SB40

更新时间： 2024-02-13 21:13:08

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描述
Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 200 to 800V Forward Current 20A

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D20SB40 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

D20SB40 数据手册

SIYU

D20SB20......D20SB80

Single-phase Silicon Bridge Rectifier

Reverse Voltage 200 to 800V

Forward Current 20A

塑封硅整流桥堆

反向电压200---800V

正向电流20 A

特征 Features

4.8

4.4

3.8

3.4

·反向漏电流低 Low reverse leakage

3.0*45⁰

·正向浪涌承受能力较强 High forward surge capability

·浪涌承受能力：300 A Surge overload rating: 300 Amperes peak

30.3

29.7

·引线和管体皆符合RoHS标准。

Lead and body according with RoHS standard

2.7

2.3

2.9

2.5

2.4

2.0

机械数据 Mechanical Data

0.7

0.6

1.1

0.9

封装

塑料封装 Case: Molded Plastic

7.7

7.3

7.7

7.3

10.2

9.8

极性

标记模压或印于本体 Polarity: Symbols molded or marked on body

安装位置

安装扭距

任意 Mounting Position: Any

推荐值0.5 Mounting torque：Recommend 0.5 N*m

Unit

：

牛*米

极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

符号

Symbols

单位

Unit

D20SB40

D20SB20

D20SB60 D20SB80

最大可重复峰值反向电压

Maximum repetitive peak reverse voltage

400

200

600

800

V_RRM

最大均方根电压

Maximum RMS voltage

V_RMS

280

400

140

200

420

600

560

800

最大直流阻断电压

Maximum DC blocking voltage

V_DC

I_F(AV)

I_FSM

TC =100

℃

最大正向平均整流电流

Maximum average forward rectified current

峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

300

℃/W

典型热阻 Typical thermal resistance

R_θJA

工作结温和存储温度

Tj, TSTG

-55--- +150

℃

Operating junction and storage temperature range

电特性 TA = 25

℃除非另有规定。

Electrical Characteristics Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

符号

Symbols

单位

Unit

D20SB20 D20SB40 D20SB60 D20SB80

最大正向电压

Maximum forward voltage

I_F=10A

1.1

V_F

500

最大反向电流

TA= 25

℃

μA

I_R

TA = 125

℃

Maximum reverse current

典型结电容 VR

= 4.0V, f = 1MHz

Type junction capacitance

大昌电子 DACHANG ELECTRONICS

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