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D1210B

更新时间: 2024-02-02 10:22:39
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3页 181K
描述

D1210B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CERAMIC, DA, 4 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.55
其他特性:LOW NOISE外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):10 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRFM-F4
JESD-609代码:e4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:GOLD端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

D1210B 数据手册

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