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CY7C166A-35DMB

更新时间： 2024-01-10 00:28:41
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 162K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24

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CY7C166A-35DMB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, CERDIP-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.77Is Samacsys：N
最长访问时间：35 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T24
JESD-609代码：e0长度：31.877 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：16KX4
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP24,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.02 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

CY7C166A-35DMB 数据手册

 浏览型号CY7C166A-35DMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C166A-35DMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C166A-35DMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C166A-35DMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C166A-35DMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C166A-35DMB的Datasheet PDF文件第7页 
CYC164A  
CYC166A  
16K x 4 Static RAM  
three-state drivers. The CY7C166A has an active low output  
enable (OE) feature. Both devices have an automatic pow-  
er-down feature, reducing the power consumption by 60%  
when deselected.  
Features  
• High speed  
— 20 ns  
Writing to the device is accomplished when the chip enable  
(CE) and write enable (WE) inputs are both LOW (and the  
output enable (OE) is LOW for the 7C166A). Data on the four  
input/output pins (I/O0 through I/O3) is written into the memory  
location specified on the address pins (A0 through A13).  
• Output enable (OE) feature (7C166A)  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 550 mW  
• Low standby power  
— 220 mW  
Reading the device is accomplished by taking chip enable  
(CE) LOW (and OE LOW for 7C166A), while write enable (WE)  
remains HIGH. Under these conditions the contents of the  
memory location specified on the address pins will appear on  
the four data I/O pins.  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
Functional Description  
The CY7C164A and CY7C166A are high-performance CMOS  
static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Easy memory ex-  
pansion is provided by an active LOW chip enable (CE) and  
The I/O pins stay in high-impedance state when chip enable  
(CE) is HIGH, or output enable (OE) is HIGH for 7C166A.  
A die coat is used to insure alpha immunity.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
DIP  
Top View  
DIP  
Top View  
A
V
CC  
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24  
23  
22  
A
V
CC  
1
22  
5
A
6
A
4
A
6
A
4
2
3
4
5
6
7
8
9
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
A
A
3
7
A
A
3
7
A
A
8
21  
20  
19  
18  
17  
2
A
8
A
2
A
A
1
9
A
A
1
9
A
7C166A  
10  
11  
A
0
A
7C164A  
A
0
10  
A
A
A
NC  
I/O  
A
11  
I/O  
3
12  
13  
3
A
12  
I/O  
2
I/O  
2
16  
15  
14  
13  
A
13  
CE  
I/O  
1
CE  
OE  
I/O  
1
10  
11  
12  
INPUT BUFFER  
10  
11  
I/O  
0
I/O  
0
GND  
WE  
GND  
WE  
A
I/O  
3
1
C164A-2  
A
C164A-3  
2
A
I/O  
2
3
A
256x 64 x 4  
ARRAY  
4
A
5
I/O  
1
A
6
A
7
A
I/O  
0
8
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
(OE)  
(7C166A ONLY)  
C164A-1  
Selection Guide[1]  
7C164A-15  
7C166A-15  
7C164A-20  
7C164A-20  
7C164A-25  
7C166A-25  
7C164A-35  
7C166A-35  
Maximum Access Time (ns)  
15  
160  
20  
100  
25  
35  
Maximum Operating Current (mA) Military  
Maximum Standby Current (mA) Military  
100  
100  
40/20  
40/20  
40/20  
30/20  
Shaded area contains advanced information.  
Note:  
1. For commercial specifications, see the CY7C164/CY7C166 datasheet.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
January 1989 - Revised December 1994  
1234567...10

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