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CSC2271E

更新时间： 2024-02-11 04:07:09

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	160K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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技术参数
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CSC2271E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	PLASTIC, TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

CSC2271E 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CSC2271

TO-92

Plastic Package

Horizontal Deflection Driver Applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

300

100

300

750

-55 to +150

UNIT

BV_CEO

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

BV_CBO

BV_EBO

I_C

ºC

I_CP

P_C

T_j, T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

VALUE

TYP

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

UNIT

MAX

MIN

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_BE(sat)

V_CE(sat)

V_CB=20V, I_E= 0

V_EB=6V, I_C= 0

V_CE=10V,I_C=10mA

I_C=20mA,I_B=2mA

µA

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

1.0

200

1.0

0.6

Base Emitter Saturation Voltage

Collector Emitter Saturation

Voltage

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Transition Frequency

f_T

I_C=10mA, V_CE=30V

MHz

C_ob

I_E=0, V_CB=10V

f=1MHz

Collector Output Capacitance

7.5

_FECLASSIFICATION :

40-80

60-120

100-200

Continental Device India Limited

Data Sheet

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