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CS37N06AQ4-G

更新时间： 2024-04-09 18:59:46

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华润微 - CRMICRO		光电二极管
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CS37N06AQ4-G 数据手册

CS37N06 AQ4-G

○

100

Note:

1.V_DS=5V

2.250us Pulse Test

Tj=150

℃

Tj=150℃

Tj=25℃

Tj=25

℃

0.1

0.01

0.1

0.2

V_SD

0.4

0.6

0.8

1.2

V_GS,Gate-to-Source Voltage[V]

，

Source-to-Drain Voltage[V]

Figure 7 Typical Body Diode Transfer

Characteristics

Figure 6 Typical Transfer Characteristics

2.4

2.2

PULSED TEST

T = 25

℃

1.8

1.6

1.4

1.2

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

I_D= 10A

V_GS= 4.5V

I_D= 6A

V_GS= 10V

0.8

0.6

0.4

-50 -25

100 125 150

I_D,Drain Current,A

T_J,Junction Temperature(

℃

)

Figure 8. Drain-to-Source On Resistance vs

Drain Current

Figure 9. Normalized On Resistance vs

Junction Temperature

1.3

1.11.2

V_GS= V_DS

I_D= 250μA

1.08

1.15

1.06

1.2

1.1

1.04

1.1

1.02

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

11.05

0.98

0.96

0.94

0.95

0.92

0.90.9

-5-0100 -25 -50 0

025

5500

75100 100150125 210500

-50 -25

100 125 150

T_J,Junction Temperature(

℃)

T_J,Junction Temperature(

℃

)

T_J,Junction Temperature(

Figure10. Normalized Threshold Voltage vs

Junction Temperature

Figure 11. Normalized Breakdown Voltage vs

Junction Temperature

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD.

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2020V01

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