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CR6202
高性能电流模式PWM 开关电源控制器
应用信息
1. CT 定时电容与开关频率的关系
由内部电流源对CT 电容进行50μ
A 恒流充电形成时钟的上升沿,在充电
电压至 1.6V 时,内部电流将以 1.9mA
的下拉电流对 CT 放电,形成时钟的下
降沿,完成一个时钟周期,一个时钟周
期约为:
关频率降低,降低功耗。开关频率随温
度的升高而降低,直至振荡器关闭。如
下图所示,
T=CT*48000(S)
Fs=1/T(Hz)
尽管双极型电流也能工作在较高的频率
下,但对于双极功率开关而言,仍需考
虑储存时间对开关顺好的影响。通常比
较合适的开关盘率约在70KHz 以下。在
一般的应用场合可将 THX202H 的 CT
电容按330PF 配置,此时对应的工作频
率约为66KHz 左右。
4. 功率管驱动特性与高耐压偏置技术
功率管采用斜坡电流驱动,驱动电
流随输出功率曾家而增加,在FB=0 时,
OB 电流约为24mA, 在FB=6V 时,OB
电流约为 40mA, 小输出时的驱动功耗
得到显著的降低。IC 内部集成了独特的
偏置技术,在功率管关断时,OB 输出
立即下拉到地,同时偏置 OE 输出到约
1.5V,反响偏置发射结,加述IC 电流的
下降速度,扩展了有效的安全工作区,
开关管承受反向的 CB 电压,使得开关
管达到 700V 的电压承受能力。关于更
详细的开关管耐压特性请参考相关的技
术数据。
2. FB 反馈与控制
在正常工作状态,FB 的电压将决定
最大开关电流的值,此电压越高开关电
流越大(仅受限于峰值电流限制)。FB
引脚内部上拉600µA 电流源,下拉电阻
约23KΩ(近似等效值)。此外在FB 电
压低于1.8V 时,将使振荡周期加大,开
关频率下降,低于1.8V 越多,开关频率
将越低。外接 FB 电容将对反馈带宽产
生影响,进而影像某些外部参数,比如
瞬态特性。
偏置波形如下图所示:
5. 过压与欠压保护
IC 具有带迟滞的欠电压保护功能。
在VCC 电压达到10.2V 时IC 开始启动,
这个初始的启动电压有驱动电阻提供,
输入的高电压通过驱动电阻注入开关管
的基极,放大的IC 电流在IC 内部经过
限制电路对VCC 电容充电,从而形成驱
动电压。在 IC 正常工作时应保持 VCC
电压在4.8-9V 之间(包括满负载输出的
情况),若VCC 电压下降到4.4V 则振荡
器将进入关闭状态,VCC 进一步降低到
3.6V 时,IC 即开始重新启动。如下图所
示:
对于 CFB 电容的值,典型的应用可在
10-100nF 之间根据反馈回路的频率特性
进行选取,推荐之用22Nf.
3. 过温保护
IC 内部集成了精确的过温保护功
能。在芯片内部温度达到 125℃时,热
保护电流动作,将时钟信号下拉,使开
2008 年8 月(V2.0)
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